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lzn_t

木虫 (小有名气)

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[求助] GGA+U计算讨论已有5人参与

最近使用Castep计算了CdTe半导体，使用含有32个原子的超晶胞。对体系结构优化成功后，先使用GGA(PBE)进行计算，得到带隙宽度为0.579eV。再使用GGA+U计算，得到带隙宽度为0.592eV。
计算的参数设置满足收敛性测试，在+U计算时，对Cd原子d电子加U=2.0eV(默认值)，其他电子不加U。
那么，问题是：1. CdTe的带隙宽度实验值为1.61eV，而这里的计算值远小于实验值，是否是因为计算设置上有不合理之处？
2. CdTe中的Cd原子属于过渡族金属，其电子结构为3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2，Te的电子结构3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2 5p4，+U计算时，体系默认只对Cd原子的d电子+U，其他电子及Te原子的电子不+U。这样是否合理？

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1楼 2014-11-03 09:34:34

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一心一意9116

银虫 (著名写手)

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引用回帖:

6楼: Originally posted by lzn_t at 2014-11-04 11:21:06
收敛性测试，主要是对 Ecut 和 K-point 的设置进行测试，这两个值设得越大，计算结果越精确，但是耗费的计算资源也越多。收敛性测试就是寻求一个合理的参数，使计算结果精度与资源耗费两者间取得一个平衡。
具体方 ...

那这个Final Energy是如何计算获得的呢？？
是在初步优化后计算Energy单点能获得的么？？？
如果初步优化失败，后面的工作如何继续下去！！！！