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撒兰斯

新虫 (著名写手)

[求助] 怎样刻蚀 掉基于ALD生长的20nm氧化铝薄膜？

我用ALD长的20nm氧化铝，现在想去掉它，但不要破坏它下面的石墨烯（底层石墨烯只有1nm后），应该怎么办呢？如果是湿法刻蚀，请给出溶液配比，刻蚀速率，和大概的刻蚀时间。。。。对了，该片子的基底是Si
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1楼 2014-09-15 13:51:33
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senpeng

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

楼主是哪高校的？

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼2014-09-21 10:04:41
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lilinxian461

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
撒兰斯: 金币+5, 博学EPI+1, ★有帮助 2014-10-26 16:48:02
既然下面是石墨烯，为什么不试试用酸去腐蚀，应该很方便吧，时间长了也不怕石墨烯有问题啊，氧化铝又很活泼，随便弄点酸就能腐蚀掉啊，我以前学材料化学的，现在是做光学工程方面的半导体，不知道说的对不对，
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2楼2014-09-15 19:37:16
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撒兰斯

新虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by lilinxian461 at 2014-09-14 23:37:16
既然下面是石墨烯，为什么不试试用酸去腐蚀，应该很方便吧，时间长了也不怕石墨烯有问题啊，氧化铝又很活泼，随便弄点酸就能腐蚀掉啊，我以前学材料化学的，现在是做光学工程方面的半导体，不知道说的对不对，

我也想用酸腐蚀，可是，有一部分氧化铝我是想保留下来的，这部分很小面积，也就几微米吧，我就怕酸调到的不好，给过腐蚀了，我现在想知道算溶液的配比是多少，比如盐酸与水几比几，腐蚀速率是多少呢？嘿嘿，谢谢你啊
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3楼2014-09-15 22:31:52
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撒兰斯

新虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by senpeng at 2014-09-20 14:04:41
楼主是哪高校的？

中北大学
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5楼2014-10-26 16:47:36
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