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撒兰斯

新虫 (著名写手)

[求助] 怎样刻蚀 掉基于ALD生长的20nm氧化铝薄膜?

我用ALD长的20nm氧化铝,现在想去掉它,但不要破坏它下面的石墨烯(底层石墨烯只有1nm后),应该怎么办呢?如果是湿法刻蚀,请给出溶液配比,刻蚀速率,和大概的刻蚀时间。。。。对了,该片子的基底是Si
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撒兰斯

新虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by lilinxian461 at 2014-09-14 23:37:16
既然下面是石墨烯,为什么不试试用酸去腐蚀,应该很方便吧,时间长了也不怕石墨烯有问题啊,氧化铝又很活泼,随便弄点酸就能腐蚀掉啊,我以前学材料化学的,现在是做光学工程方面的半导体,不知道说的对不对,

我也想用酸腐蚀,可是,有一部分氧化铝我是想保留下来的,这部分很小面积,也就几微米吧,我就怕酸调到的不好,给过腐蚀了,我现在想知道算溶液的配比是多少,比如盐酸与水几比几,腐蚀速率是多少呢?嘿嘿,谢谢你啊
3楼2014-09-15 22:31:52
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lilinxian461

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
撒兰斯: 金币+5, 博学EPI+1, 有帮助 2014-10-26 16:48:02
既然下面是石墨烯,为什么不试试用酸去腐蚀,应该很方便吧,时间长了也不怕石墨烯有问题啊,氧化铝又很活泼,随便弄点酸就能腐蚀掉啊,我以前学材料化学的,现在是做光学工程方面的半导体,不知道说的对不对,
2楼2014-09-15 19:37:16
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senpeng

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

楼主是哪高校的?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2014-09-21 10:04:41
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撒兰斯

新虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by senpeng at 2014-09-20 14:04:41
楼主是哪高校的?

中北大学
5楼2014-10-26 16:47:36
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