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撒兰斯

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[求助] 怎样刻蚀掉基于ALD生长的20nm氧化铝薄膜？

我用ALD长的20nm氧化铝，现在想去掉它，但不要破坏它下面的石墨烯（底层石墨烯只有1nm后），应该怎么办呢？如果是湿法刻蚀，请给出溶液配比，刻蚀速率，和大概的刻蚀时间。。。。对了，该片子的基底是Si

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请问大家对100纳米的α-氧化铝有什么看法，它有什么应用？已经有10人回复

1楼 2014-09-15 13:51:33

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lilinxian461

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
撒兰斯: 金币+5, 博学EPI+1, ★有帮助 2014-10-26 16:48:02

既然下面是石墨烯，为什么不试试用酸去腐蚀，应该很方便吧，时间长了也不怕石墨烯有问题啊，氧化铝又很活泼，随便弄点酸就能腐蚀掉啊，我以前学材料化学的，现在是做光学工程方面的半导体，不知道说的对不对，

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2楼2014-09-15 19:37:16

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撒兰斯

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引用回帖:

2楼: Originally posted by lilinxian461 at 2014-09-14 23:37:16
既然下面是石墨烯，为什么不试试用酸去腐蚀，应该很方便吧，时间长了也不怕石墨烯有问题啊，氧化铝又很活泼，随便弄点酸就能腐蚀掉啊，我以前学材料化学的，现在是做光学工程方面的半导体，不知道说的对不对，

我也想用酸腐蚀，可是，有一部分氧化铝我是想保留下来的，这部分很小面积，也就几微米吧，我就怕酸调到的不好，给过腐蚀了，我现在想知道算溶液的配比是多少，比如盐酸与水几比几，腐蚀速率是多少呢？嘿嘿，谢谢你啊

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3楼2014-09-15 22:31:52

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