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求助：晶体Si（以及掺杂后） 光吸收谱为何与禁带宽度对不上 已有1人参与
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http://d.kankan3d.com/data/bcs/2014/0625/w160h3178792_1403704014_891.png 求助： 附件的图是在晶体Si（以及掺杂后）得到的光吸收谱，禁带宽度为什么对不上呢？ 第一性原理计算得到晶体Si禁带宽度是0.61ev，为了跟实验值相符合，将导带的能级做了刚性平移，然后再做光学计算。可是为什么光学计算得到的结果在3ev以下是没有吸收呢？3ev对应的波长是0.41eV啊。求各位大神指点迷津。 另外vasp计算得到DOS图，两个体系在比较的时候，横坐标（能量）是应该直接对齐（不减Ef），还是应该各自减去Ef后，将零点对齐呢？为什么？  图片1.png |
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谢谢你的回答。你的意思是VASP计算的都是零K下的情况，零K情况下没有声子参与，所以从能带图上看只能垂直跃迁哈，垂直跃迁得到的最小禁带是3ev哈？嗯，有道理。 
3楼2014-06-27 12:06:27
2楼2014-06-25 23:03:33
