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2007cr

铜虫 (初入文坛)

[求助] 求助:晶体Si(以及掺杂后) 光吸收谱为何与禁带宽度对不上 已有1人参与

http://d.kankan3d.com/data/bcs/2014/0625/w160h3178792_1403704014_891.png
求助: 附件的图是在晶体Si(以及掺杂后)得到的光吸收谱,禁带宽度为什么对不上呢? 第一性原理计算得到晶体Si禁带宽度是0.61ev,为了跟实验值相符合,将导带的能级做了刚性平移,然后再做光学计算。可是为什么光学计算得到的结果在3ev以下是没有吸收呢?3ev对应的波长是0.41eV啊。求各位大神指点迷津。

另外vasp计算得到DOS图,两个体系在比较的时候,横坐标(能量)是应该直接对齐(不减Ef),还是应该各自减去Ef后,将零点对齐呢?为什么?

求助:晶体Si(以及掺杂后) 光吸收谱为何与禁带宽度对不上
图片1.png
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2007cr

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-06-25 23:03:33
1 DFT计算禁带偏低是理论本身的原因
2 图上已经说明,Si是间接带隙,而且简单的光学计算根本不包括间接跃迁,只有直接跃迁才有吸收,比较大的直接跃迁从3eV才出现。

谢谢你的回答。你的意思是VASP计算的都是零K下的情况,零K情况下没有声子参与,所以从能带图上看只能垂直跃迁哈,垂直跃迁得到的最小禁带是3ev哈?嗯,有道理。
    不过,如果是这样,VASP计算得到的光学吸收谱对于简介带隙材料说,参考意义是不是就不大了呢?

另外,还有个能带图,有些地方不太明白,可否也帮忙解释下?

杂质能级都已经和导带连在一起了,是怎么判断能带图中,那几根能带是杂质原子的呢?
求助:晶体Si(以及掺杂后) 光吸收谱为何与禁带宽度对不上-1
图片2.png

3楼2014-06-27 12:06:27
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
2007cr: 金币+2, ★★★很有帮助, 新人,只有3个金币,给你2个哈 2014-06-27 12:07:26
1 DFT计算禁带偏低是理论本身的原因
2 图上已经说明,Si是间接带隙,而且简单的光学计算根本不包括间接跃迁,只有直接跃迁才有吸收,比较大的直接跃迁从3eV才出现。
2楼2014-06-25 23:03:33
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