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Alex卖龙

银虫 (初入文坛)

[求助] 碳化硅(SiC)的禁带宽度怎么拟合啊 知道吸收系数

求大神赐教:
    碳化硅(SiC)的禁带宽度怎么拟合啊 ?知道紫外测试的吸收系数,但是我怎么都拟合的不行。
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beyondanycal

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
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tjcdp: 金币+2, 代楼主奖励 2013-01-14 08:50:30
是结晶态的SiC ?还是非晶态的?后者可以参考非晶硅的Tauc拟合;

还有,你说是用紫外测试,测的应该是吸收率吧,和吸收系数不同。
天行牛
2楼2012-11-05 23:49:17
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Alex卖龙

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by beyondanycal at 2012-11-05 23:49:17
是结晶态的SiC ?还是非晶态的?后者可以参考非晶硅的Tauc拟合;

还有,你说是用紫外测试,测的应该是吸收率吧,和吸收系数不同。

是非晶态的呢,我了解到还要知道是不是直隙和间隙呢 所以不知道怎么用Tauc拟合,希望能够给出具体的用法啊  谢谢了
3楼2012-11-06 10:31:02
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beyondanycal

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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Alex卖龙: 金币+150, ★★★很有帮助 2012-11-08 09:14:34
非晶SiC,还有类似的非晶SiGe,一般按照非晶硅材料的Tauc拟合法计算带隙,后者在论坛里搜索即可。
关于直接带隙和间接带隙,晶体硅是间接带隙,非晶硅由于结构上长程无序,电子跃迁不需声子辅助,可以将其看作直接带隙半导体材料;此结论应该适用于非晶SiC材料

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天行牛
4楼2012-11-07 00:20:34
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Alex卖龙

银虫 (初入文坛)

送鲜花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by beyondanycal at 2012-11-07 00:20:34
非晶SiC,还有类似的非晶SiGe,一般按照非晶硅材料的Tauc拟合法计算带隙,后者在论坛里搜索即可。
关于直接带隙和间接带隙,晶体硅是间接带隙,非晶硅由于结构上长程无序,电子跃迁不需声子辅助,可以将其看作直接 ...

非常感谢
5楼2012-11-08 09:13:19
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