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dx0620木虫 (正式写手)
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vasp压力下计算band、dos、声子谱的问题已有2人参与
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如题,我如果压力下计算能带、态密度、声子谱的话,需要在INCAR中加压力吗?! 或者说我自洽的那一步跟最后计算相应性质的那一步需要加压力吗? |
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3楼2014-05-02 12:22:31
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8楼2014-05-02 16:52:39
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可能这个回答比我回答要清楚,这个是小木上的一个回答: 1、构建模型,优化结构,找到最佳晶格常数; 2、改变你要施加应变方向的应变,如(001)方向,那你在POSCAR文件里设置变化,0.03或0.06什么都行(施加应变较多的话可以编辑脚本) 3、INCAR里选ISIF=2,其他根据要求写 4、计算完成后在每一个应变之后的计算的OUTCAR文件中记下“FORCE on cell =-STRESS in cart. coord. units (eV):"行里的ZZ项的值,单位是MPa 5、然后根据应变及对应的应力用画图软件画图即可。 可以参考文献“Mechanical properties and defective effects of bcc V-4Cr-4Ti and V-5Cr-Ti alloys by first-principles simulations", xiaoqing li at el. |
12楼2014-05-02 21:58:31
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15楼2014-05-03 17:06:00
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17楼2014-05-03 17:24:27
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19楼2014-05-03 18:09:26













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