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Ilovenewyork铜虫 (小有名气)
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【求助】用vasp计算表面的DOS有什么需要注意的？ 已有3人参与
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大家好！ 我之前用vasp算过晶体的ＤＯＳ，但是现在老板要求我改算表面的ＤＯＳ。有很多问题不知道从何着手。 首先，模型怎么建？ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｔｕｄｉｏ中建立Ｓｕｐｅｒｃｅｌｌ然后再Ｃｌｅａｖｅ， 再导入ｖａｓｐ的ＰＯＳＣＡＲ中，这样行么？ 其次，Ｃｌｅａｖｅ后表面用加Ｈ么？ 不然有悬挂键怎么算呢？ 第三，ＰＯＳＣＡＲ中是不是固定下面几层原子，然后只迟豫上面两到三层？那个“真空层”在这里面是怎么体现出来的呢？ 最后，是不是要取比如７×７×１类似的ｋｐｏｉｎｔｓ？ 那个“１”应该是哪个方向呢？ 本人以前从未算过表面，问题可能有些幼稚，希望虫虫们不要嘲笑，恳请指教！ |
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 第一性原理 | VASP |
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Ilovenewyork
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2楼2010-09-13 20:36:01
valenhou001
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Ilovenewyork(金币+10):谢谢您的指教！对我很有帮助：） 2010-09-14 19:47:35
zzy870720z(金币+3):谢谢侯老师指导 2010-09-16 15:32:11
Ilovenewyork(金币+10):谢谢您的指教！对我很有帮助：） 2010-09-14 19:47:35
zzy870720z(金币+3):谢谢侯老师指导 2010-09-16 15:32:11
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1) MS里面有build crystal的模块，用这个功能构造你所计算的材料的晶体模型，其晶格常数，里面的原子坐标等都可以参考你现在用的POSCAR文件里面的信息； 2)构造好了所计算材料的晶体模型后，再利用MS里面的cleave 表面的模块构造出你所要计算的表面； 3)MS里面好像也要给悬挂键加氢H的功能，自己摸索一下，找找是哪个图标。 4)下表面的原子的悬挂键加了H的话，那就把最下面的几层原子给固定，优化上表面的几层原子。真空层通过 垂直于表面的晶格常数的长度来体现的，这个方向上的晶格常数要比原子层的厚度大很多，比如大到10 angstrom左右。MS里面在cleave surface，构造slab时，也是可以加上真空层厚度的。 5)"1"就是与表面垂直的那个方向上。 |
3楼2010-09-13 21:36:37
4楼2010-09-16 01:30:07
285058420
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