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Ilovenewyork

铜虫 (小有名气)

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[交流] 【求助】用vasp计算表面的DOS有什么需要注意的？已有3人参与

大家好！

我之前用vasp算过晶体的ＤＯＳ，但是现在老板要求我改算表面的ＤＯＳ。有很多问题不知道从何着手。

首先，模型怎么建？　Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｓｔｕｄｉｏ中建立Ｓｕｐｅｒｃｅｌｌ然后再Ｃｌｅａｖｅ，　再导入ｖａｓｐ的ＰＯＳＣＡＲ中，这样行么？

其次，Ｃｌｅａｖｅ后表面用加Ｈ么？　不然有悬挂键怎么算呢？

第三，ＰＯＳＣＡＲ中是不是固定下面几层原子，然后只迟豫上面两到三层？那个“真空层”在这里面是怎么体现出来的呢？

最后，是不是要取比如７×７×１类似的ｋｐｏｉｎｔｓ？　那个“１”应该是哪个方向呢？

本人以前从未算过表面，问题可能有些幼稚，希望虫虫们不要嘲笑，恳请指教！

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1楼 2010-09-12 16:53:58

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Ilovenewyork

铜虫 (小有名气)

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为什么没有人回帖呢？。。。

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2楼2010-09-13 20:36:01

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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

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★ ★ ★
Ilovenewyork(金币+10):谢谢您的指教！对我很有帮助：） 2010-09-14 19:47:35
zzy870720z(金币+3):谢谢侯老师指导 2010-09-16 15:32:11

1) MS里面有build crystal的模块，用这个功能构造你所计算的材料的晶体模型，其晶格常数，里面的原子坐标等都可以参考你现在用的POSCAR文件里面的信息；
2)构造好了所计算材料的晶体模型后，再利用MS里面的cleave 表面的模块构造出你所要计算的表面；
3)MS里面好像也要给悬挂键加氢H的功能，自己摸索一下，找找是哪个图标。
4)下表面的原子的悬挂键加了H的话，那就把最下面的几层原子给固定，优化上表面的几层原子。真空层通过垂直于表面的晶格常数的长度来体现的，这个方向上的晶格常数要比原子层的厚度大很多，比如大到10 angstrom左右。MS里面在cleave surface，构造slab时，也是可以加上真空层厚度的。
5)"1"就是与表面垂直的那个方向上。

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3楼2010-09-13 21:36:37

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