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Ilovenewyork

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】用vasp计算表面的DOS有什么需要注意的? 已有3人参与

大家好!

我之前用vasp算过晶体的DOS,但是现在老板要求我改算表面的DOS。有很多问题不知道从何着手。

首先,模型怎么建? Material Studio中建立Supercell然后再Cleave, 再导入vasp的POSCAR中,这样行么?

其次,Cleave后表面用加H么? 不然有悬挂键怎么算呢?

第三,POSCAR中是不是固定下面几层原子,然后只迟豫上面两到三层?那个“真空层”在这里面是怎么体现出来的呢?

最后,是不是要取比如7×7×1类似的kpoints? 那个“1”应该是哪个方向呢?


本人以前从未算过表面,问题可能有些幼稚,希望虫虫们不要嘲笑,恳请指教!
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1003307944

银虫 (小有名气)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+1):谢谢交流,楼上的就是侯老师,呵呵 2010-09-16 15:32:35
slab模型,侯柱峰VASP中文手册上提到过
4楼2010-09-16 01:30:07
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Ilovenewyork

铜虫 (小有名气)

为什么没有人回帖呢? 。。。
2楼2010-09-13 20:36:01
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★ ★
Ilovenewyork(金币+10):谢谢您的指教!对我很有帮助:) 2010-09-14 19:47:35
zzy870720z(金币+3):谢谢侯老师指导 2010-09-16 15:32:11
1) MS里面有build crystal的模块,用这个功能构造你所计算的材料的晶体模型,其晶格常数,里面的原子坐标等都可以参考你现在用的POSCAR文件里面的信息;
2)构造好了所计算材料的晶体模型后,再利用MS里面的cleave 表面的模块构造出你所要计算的表面;
3)MS里面好像也要给悬挂键加氢H的功能,自己摸索一下,找找是哪个图标。
4)下表面的原子的悬挂键加了H的话,那就把最下面的几层原子给固定,优化上表面的几层原子。真空层通过 垂直于表面的晶格常数的长度来体现的,这个方向上的晶格常数要比原子层的厚度大很多,比如大到10 angstrom左右。MS里面在cleave surface,构造slab时,也是可以加上真空层厚度的。
5)"1"就是与表面垂直的那个方向上。
3楼2010-09-13 21:36:37
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285058420

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
对,在侯柱峰的VASP上有
5楼2010-09-17 11:29:45
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