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dx0620

木虫 (正式写手)

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[求助] vasp压力下计算band、dos、声子谱的问题已有2人参与

如题，我如果压力下计算能带、态密度、声子谱的话，需要在INCAR中加压力吗？！

或者说我自洽的那一步跟最后计算相应性质的那一步需要加压力吗？

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1楼 2014-05-02 11:43:34

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mywai520

铁杆木虫 (著名写手)

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引用回帖:

11楼: Originally posted by sungjen at 2014-05-02 18:57:06
哦，我看了关于加压的一些方法，有些事改变晶格的，不知道对于slab模型如何加压呢...

可能这个回答比我回答要清楚，这个是小木上的一个回答：
1、构建模型，优化结构，找到最佳晶格常数；
2、改变你要施加应变方向的应变，如（001）方向，那你在POSCAR文件里设置变化，0.03或0.06什么都行（施加应变较多的话可以编辑脚本）
3、INCAR里选ISIF=2，其他根据要求写
4、计算完成后在每一个应变之后的计算的OUTCAR文件中记下“FORCE on cell =-STRESS in cart. coord. units (eV):"行里的ZZ项的值，单位是MPa
5、然后根据应变及对应的应力用画图软件画图即可。
可以参考文献“Mechanical properties and defective effects of bcc V-4Cr-4Ti and V-5Cr-Ti alloys by first-principles simulations", xiaoqing li at el.