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光刻工艺优化 已有3人参与
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光刻胶EPG516 正胶 转速：先500r/min,后2650r/min 3um 图中前烘温度75、80度,时间60s. 该光刻胶没有后烘工艺，曝光量100mJ/cm2,接触式曝光，显影时间60s. 图中台阶的倒角我做的最好也就65度左右，改过温度，时间，曝光量，其中显影时间是以显影完全为准，没有考虑时间。结果都不太理想，还应该朝哪方面优化。  516 75.jpg  516 80-4.jpg |
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