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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 如何获得平整度较高的不同后的的Si上SiO2层？
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hnwhinder

铁虫 (小有名气)

[交流] 如何获得平整度较高的不同后的的Si上SiO2层？ 已有1人参与

大家好，我需要200nm到600nm约20nm左右间隔的Si上SiO2薄膜，去找硅片厂商热氧化是可以，但是每个厚度都需要独立的氧化，而每个厚度需要的不多，所以成本很高。用磁控溅射可以，但是折射率会和热氧化的不太一致，所以暂时不考虑。我准备用BOE，但是不知道平整度如何？请问大家关于BOE腐蚀方面有没有什么建议？谢谢！
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1楼 2014-03-05 21:11:25
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
建议找几个不同厚度的氧化层的硅片，然后分别作腐蚀或者刻蚀。刻蚀会更好，腐蚀的话均匀性还是不好控制。
不同厚度的氧化片，可以找”静静一yi“，她们那里品种多。
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2楼2014-03-07 16:03:18
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