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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » SiO2中Si-H键的FTIR吸收峰
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ssfantasy

银虫 (正式写手)

[求助] SiO2中Si-H键的FTIR吸收峰

SiO2中Si-H键的FTIR吸收峰，看到了有的文献写的是2000cm-1，有的文献写的是2173cm-1，求解答为什么不一样？
还有，在wafer上生长SiO,在1060处有个强烈的吸收峰，是什么峰呀，而且选取的933-1349范围计算峰面积的原因？

[ Last edited by ssfantasy on 2013-9-21 at 09:21 ]
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挣点钱真不容易
1楼 2013-09-21 06:58:22
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hejianuestc

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
2000和2173应该是不同的振动模式的吸收峰。
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2楼2013-09-21 11:32:36
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ssfantasy

银虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by hejianuestc at 2013-09-21 11:32:36
2000和2173应该是不同的振动模式的吸收峰。

都是写的Si-H的伸缩模，所以我觉得有问题，
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挣点钱真不容易
3楼2013-09-21 16:01:49
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marshal_wu

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

纯的SiO2中怎么有Si-H键，如果有少量-OH存在的话，Si-H键的振动就比较复杂，可能会出现多种频率的情况，无机晶体的复杂程度不是简单的有机物所能比的，所以，无机晶体的波普解析不能像有机物那样教条，只能灵活分析。
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4楼2013-10-08 22:31:04
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