| 查看: 2122 | 回复: 3 | |||
[求助]
SiO2中Si-H键的FTIR吸收峰
|
|
SiO2中Si-H键的FTIR吸收峰，看到了有的文献写的是2000cm-1，有的文献写的是2173cm-1，求解答为什么不一样？ 还有，在wafer上生长SiO,在1060处有个强烈的吸收峰，是什么峰呀，而且选取的933-1349范围计算峰面积的原因？ [ Last edited by ssfantasy on 2013-9-21 at 09:21 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
博士读完未来一定会好吗
已经有24人回复
-
导师想让我从独立一作变成了共一第一
已经有9人回复
-
到新单位后，换了新的研究方向，没有团队，持续积累2区以上论文，能申请到面上吗
已经有11人回复
-
读博
已经有4人回复
-
JMPT 期刊投稿流程
已经有4人回复
-
心脉受损
已经有5人回复
-
Springer期刊投稿求助
已经有4人回复
-
小论文投稿
已经有3人回复
-
申请2026年博士
已经有6人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
求指点FTIR吸收峰的分析，感谢大家！
已经有9人回复- 请问为什么红外光谱可以测金属-非金属振动吸收峰，为什么不能测金属键呢
已经有4人回复
2楼2013-09-21 11:32:36
3楼2013-09-21 16:01:49
4楼2013-10-08 22:31:04