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SiO2中Si-H键的FTIR吸收峰
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SiO2中Si-H键的FTIR吸收峰，看到了有的文献写的是2000cm-1，有的文献写的是2173cm-1，求解答为什么不一样？ 还有，在wafer上生长SiO,在1060处有个强烈的吸收峰，是什么峰呀，而且选取的933-1349范围计算峰面积的原因？ [ Last edited by ssfantasy on 2013-9-21 at 09:21 ] |
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