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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 前沿热点 » 请问CVD法长石墨烯为什么不能长在SiO2/Si上？
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Angusskanal

木虫 (小有名气)

[求助] 请问CVD法长石墨烯为什么不能长在SiO2/Si上？

如题，看了很多文献，都是长在金属上，再从金属转移到SiO2/Si上，没说为什么不直接长在SiO2/Si上。另外，如果用PVD法呢？

[ Last edited by Angusskanal on 2013-3-19 at 23:06 ]
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为科研奋斗终生
1楼2013-03-19 23:01:09
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hqh2011

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
Angusskanal: 金币+1, ★有帮助 2013-03-22 10:47:17
这主要是由于金属基底的氧化物可以为碳材料生长提供合适的位点。
再者，硅片在使用时表面过于光滑，而且其表面容易出现一层氧化层的原因。
希望有帮助
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2楼2013-03-19 23:53:58
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Angusskanal

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by hqh2011 at 2013-03-19 23:53:58
这主要是由于金属基底的氧化物可以为碳材料生长提供合适的位点。
再者，硅片在使用时表面过于光滑，而且其表面容易出现一层氧化层的原因。
希望有帮助

请问什么叫位点？石墨烯能淀积在SiO2上吗？
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为科研奋斗终生
3楼2013-03-21 19:21:04
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wulishi8

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
Angusskanal: 金币+2, ★有帮助 2013-03-22 10:47:01
Angusskanal: 金币+2, ★有帮助 2013-03-30 21:42:04
金属的碳溶解度不高不低的那种才能够用来生长石墨烯，比如Cu,Ir等等。
用来长碳管的如Fe，Ni等等碳的溶解度太高了。
相反，一般硅的碳溶解度低到不能用来生长，也就是催化能力太弱。
但是如果高温真空处理SiC，可以得到比CVD质量更好的石墨烯。
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中山大学材料学院招聘博士后和专职研究员，年薪20万起，请站内联系，谢谢。
4楼2013-03-22 00:54:17
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cord

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
Angusskanal: 金币+1, ★有帮助 2013-03-22 10:46:21
Angusskanal: 金币+1, ★有帮助 2013-03-30 21:42:29
石墨稀长在金属上也是特殊的几种金属，特别是吸附碳能力强的金属，比如铜和镍。
请看石墨稀的生长制备文章，在高温下金属吸收碳，通过快速降温，金属吸收的碳释放出在表面形成石墨稀。
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5楼2013-03-22 02:10:58
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dechaogeng

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
Angusskanal: 金币+3, ★★★很有帮助 2013-04-16 14:23:53
CVD方法在绝缘基底上制备石墨烯是一个非常重要的方向，相比于金属基底上可以避免转移带来的碎裂和杂质等问题。近年来，在这方面的工作还是挺多的。我们组有个师兄主要就是做这个，已经发表了一篇JACS和一篇Adv Mater，主要就是关注在绝缘基底比如SiC和SiO2上生长高质量的石墨烯。但是，和金属催化剂生长有所不同，绝缘基底需要经过高温退火和氧辅助以增加成核位点，而且由于碳在绝缘基底上很难吸附所以生长时间非常长才能得到石墨烯。“Oxygen-Aided Synthesis of Polycrystalline Graphene on Silicon Dioxide Substrates”这是他JACS上的文章题目，希望对你有用。
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Nano
6楼2013-04-16 12:19:21
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steinhause

铜虫 (小有名气)
那能用pvd吗
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7楼2013-12-04 17:35:54
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justforu

木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by hqh2011 at 2013-03-19 23:53:58
这主要是由于金属基底的氧化物可以为碳材料生长提供合适的位点。
再者，硅片在使用时表面过于光滑，而且其表面容易出现一层氧化层的原因。
希望有帮助

你好 我想问问 是不是一定得用过渡金属氧化物作基底。。。。非过渡金属氧化物可以么 谢谢？
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8楼2015-05-26 09:48:35
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justforu

木虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by wulishi8 at 2013-03-22 00:54:17
金属的碳溶解度不高不低的那种才能够用来生长石墨烯，比如Cu,Ir等等。
用来长碳管的如Fe，Ni等等碳的溶解度太高了。
相反，一般硅的碳溶解度低到不能用来生长，也就是催化能力太弱。
但是如果高温真空处理SiC，可 ...

你好 我想问问 是不是一定得用过渡金属氧化物作基底。。。。非过渡金属氧化物可以么 谢谢？
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9楼2015-05-26 09:49:23
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justforu

木虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by cord at 2013-03-22 02:10:58
石墨稀长在金属上也是特殊的几种金属，特别是吸附碳能力强的金属，比如铜和镍。
请看石墨稀的生长制备文章，在高温下金属吸收碳，通过快速降温，金属吸收的碳释放出在表面形成石墨稀。

你好 有没有推荐几篇 谢谢  我貌似没怎么找到相应的。。。谢谢
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10楼2015-05-26 09:50:05
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