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ZnOS的bandgap与S元素含量关系
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在Structural properties and bandgap bowing of ZnO1−xSx thin films deposited by reactive sputtering (Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 21, 22 November 2004 )文章中,作者给出了随S元素含量变化,ZnOS三元化合物的带隙不是线性增加,而是先减小后增加,呈抛物线型,为什么会是这样?之前在做CdSSe时,测PL的峰是随S含量逐渐蓝移,带隙从1.7eV(CdSe)到2.4eV(CdS)线性变化 |
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2014-02-26 16:55:35, 25.11 K
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fineday8815
铁虫 (小有名气)
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