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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » ZnOS的bandgap与S元素含量关系
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wyc

铜虫 (小有名气)

[求助] ZnOS的bandgap与S元素含量关系

在Structural properties and bandgap bowing of ZnO1−xSx thin films deposited
by reactive sputtering （Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 21, 22 November 2004 ）文章中，作者给出了随S元素含量变化，ZnOS三元化合物的带隙不是线性增加，而是先减小后增加，呈抛物线型，为什么会是这样？之前在做CdSSe时，测PL的峰是随S含量逐渐蓝移，带隙从1.7eV(CdSe)到2.4eV(CdS)线性变化
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    • 2014-02-26 16:55:35, 25.11 K

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1楼 2014-02-26 16:55:43
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wyc

铜虫 (小有名气)
不知打如何把图插入帖子中
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2楼2014-02-26 16:56:21
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wyc

铜虫 (小有名气)
如图
ZnOS的bandgap与S元素含量关系
未命名.JPG
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3楼2014-02-26 16:58:27
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fineday8815

铁虫 (小有名气)
你看下文章的解答案，是因为S比O半径大，所以掺入的S使结构变大，内部产生张应变，从而引导起能隙变小，当S掺杂量过大时，材料结构发生相变化，由B4相变成B3相，所以才有这样的结果。
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wyc
4楼2014-02-27 10:27:58
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wyc

铜虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by fineday8815 at 2014-02-27 10:27:58
你看下文章的解答案，是因为S比O半径大，所以掺入的S使结构变大，内部产生张应变，从而引导起能隙变小，当S掺杂量过大时，材料结构发生相变化，由B4相变成B3相，所以才有这样的结果。

谢谢
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5楼2014-02-27 10:38:29
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