| 查看: 707 | 回复: 4 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[求助]
ZnOS的bandgap与S元素含量关系
|
||
|
在Structural properties and bandgap bowing of ZnO1−xSx thin films deposited by reactive sputtering （Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 21, 22 November 2004 ）文章中，作者给出了随S元素含量变化，ZnOS三元化合物的带隙不是线性增加，而是先减小后增加，呈抛物线型，为什么会是这样？之前在做CdSSe时，测PL的峰是随S含量逐渐蓝移，带隙从1.7eV(CdSe)到2.4eV(CdS)线性变化 |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 未命名.JPG
2014-02-26 16:55:35, 25.11 K
» 猜你喜欢
260求调剂
已经有1人回复
-
新疆大学材料学院招收调剂
已经有2人回复
-
有机高分子材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有186人回复
-
08工学-一作ACS AMI（IF 8.2）｜物理团簇背景｜求长三角/山东地区团簇、催化方向调剂
已经有2人回复
-
招收0805（材料）调剂
已经有0人回复
-
招收0805（材料）调剂
已经有3人回复
-
EBSD极图和反极图怎么看
已经有0人回复
-
Desmodur® E 22国产替代产品
已经有0人回复
3楼2014-02-26 16:58:27
2楼2014-02-26 16:56:21
fineday8815
铁虫 (小有名气)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 33
- 散金: 133
- 红花: 3
- 帖子: 69
- 在线: 114.7小时
- 虫号: 69359
- 注册: 2005-05-21
- 性别: GG
- 专业: 半导体科学与信息器件
wyc4楼2014-02-27 10:27:58
5楼2014-02-27 10:38:29
