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wyc

铜虫 (小有名气)

[求助] ZnOS的bandgap与S元素含量关系

在Structural properties and bandgap bowing of ZnO1−xSx thin films deposited
by reactive sputtering (Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 21, 22 November 2004 )文章中,作者给出了随S元素含量变化,ZnOS三元化合物的带隙不是线性增加,而是先减小后增加,呈抛物线型,为什么会是这样?之前在做CdSSe时,测PL的峰是随S含量逐渐蓝移,带隙从1.7eV(CdSe)到2.4eV(CdS)线性变化
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  • 2014-02-26 16:55:35, 25.11 K

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wyc

铜虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by fineday8815 at 2014-02-27 10:27:58
你看下文章的解答案,是因为S比O半径大,所以掺入的S使结构变大,内部产生张应变,从而引导起能隙变小,当S掺杂量过大时,材料结构发生相变化,由B4相变成B3相,所以才有这样的结果。

谢谢
5楼2014-02-27 10:38:29
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wyc

铜虫 (小有名气)

不知打如何把图插入帖子中
2楼2014-02-26 16:56:21
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wyc

铜虫 (小有名气)

如图
ZnOS的bandgap与S元素含量关系
未命名.JPG

3楼2014-02-26 16:58:27
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fineday8815

铁虫 (小有名气)

你看下文章的解答案,是因为S比O半径大,所以掺入的S使结构变大,内部产生张应变,从而引导起能隙变小,当S掺杂量过大时,材料结构发生相变化,由B4相变成B3相,所以才有这样的结果。

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wyc
4楼2014-02-27 10:27:58
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