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ZnOS的bandgap与S元素含量关系
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在Structural properties and bandgap bowing of ZnO1−xSx thin films deposited by reactive sputtering （Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 21, 22 November 2004 ）文章中，作者给出了随S元素含量变化，ZnOS三元化合物的带隙不是线性增加，而是先减小后增加，呈抛物线型，为什么会是这样？之前在做CdSSe时，测PL的峰是随S含量逐渐蓝移，带隙从1.7eV(CdSe)到2.4eV(CdS)线性变化 |
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2014-02-26 16:55:35, 25.11 K
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