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上海科技大学材料器件中心合作导师科研成果速递
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上海科技大学材料器件中心简称smdl，中心依托信息学院“电子信息”和物质学院“材料与化工”两个专业硕士学位点，与相关产业界联合开展专业型硕士培养工作，致力于培育理论扎实、技术过硬的微纳制造工艺工程技术人才，真正满足产业一线的实际用人需求。预计2027年起在读研究生总人数将达到每年150人。 2025年度，上科大材料器件中心（smdl）支撑用户发表且致谢平台的科研成果共113篇，发表在nature materials、nature photonics、elight、light: science and applications、acs nano、small等期刊上。以下是部分用户科研成果精选展示（排名不分先后）。 陈佰乐课题组成功研制出首款全芯片集成的光生微波振荡器 论文题目：a chip-integrated comb-based microwave oscillator 发表期刊：light-science & applications 出版日期：2025-04-30 陈佰乐团队成功研制出首款全芯片集成的、基于微腔光频梳的微波振荡器。该器件将分布式反馈（dfb）激光器芯片、高品质氮化硅微腔芯片和高速光电探测器芯片进行混合集成，在分米级尺度的芯片上同时实现了窄线宽激光器、相干微腔光频梳与低噪声微波源的三位一体集成。每个单独的芯片性能均达到业界标杆，同时该芯片系统可通过成熟的半导体cmos和iii-v族工艺实现低成本量产。smdl支持设备与技术等情况：高速高分辨率无掩膜板光刻仪mla、等离子刻蚀系统 三五族刻蚀机、反应离子刻蚀系统、化学气相沉积系统pecvd、电子束沉积系统等 doi：10.1038/s41377-025-01795-0
冯继成课题组开发出下一代芯片金属互连智造方案 论文题目：wafer-scale nanoprinting of 3d interconnects beyond cu 发表期刊：acs nano 出版日期：2025-04-23 冯继成课题组开发了不受材料限制，且兼具纳米级加工精度与晶圆级加工通量的新型金属互连方案，利用其加工的au、ir与ru三维金属互连可达到理论预测的导电性能。该方法利用“人工闪电”创制带电金属纳米颗粒，通过气流将其携带进入预设构型的空间电场中，将纳米颗粒原位打印成高纯、多级、多材料、高精度和晶圆级的3d纳米互连结构，最小三维结构的特征尺度已至17 nm。除纳米级加工精度外，该策略兼具低成本的优势，相较于主流大马士革工艺（绝缘层刻蚀╟ cu填充╟平坦化）的金属互连制造方案，可节省3个量级能源消耗和提高5个量级的材料利用率。通过程控化定制电场空间构型，该工作中成功打印了不同尺度的ru、ir和au材料的互连结构，并展示了“台阶式”的三维互连，为未来芯片立体集成提供了可行方案。smdl支持设备与技术等情况：高速高分辨率无掩膜板光刻仪mla等 doi：10.1021/acsnano.5c00720
寇煦丰课题组实现对本征磁性拓扑绝缘体的可控剪裁 论文题目：tunable chiral magneto-transport through band structure engineering in magnetic topological insulators mn(bi1-xsbx)2te4 发表期刊：science advances 出版日期：2025-05-16 寇煦丰课题组利用分子束外延生长技术制备了一系列高质量的2英寸mn(bi1-xsbx)2te4薄膜。结合基于密度泛函理论的第一性原理计算，团队发现随着锑（sb）掺杂比例的提高，mn(bi1-xsbx)2te4的能带结构发生显著演化，诱导出一个从拓扑非平庸态向平庸态的拓扑相变，其对应的反常霍尔电导（anomalous hall conductance，ahc）也会出现极性翻转。同时还观测到该材料体系的自旋纹理结构手性变化会诱导二次谐波霍尔响应信号的极性反转。本工作揭示了能带工程在实现本征磁性拓扑绝缘体材料电子能带结构，表面态自旋纹理以及拓扑物性调控方面的巨大潜力，不仅为探索非线性输运现象提供了理想模型，也为基于自旋手性和拓扑自由度的低功耗量子器件奠定了坚实基础。smdl支持设备与技术等情况：高速高分辨率无掩膜板光刻仪mla、双离子源刻蚀系统、电子束沉积系统、匀胶通风橱等 doi：10.1126/sciadv.adt6084
原文详见链接：https://mp.weixin.qq.com/s/95zCUKWbv6iOLUXateHr4w |
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