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关于半导体复合空穴的移动
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]
关于半导体复合空穴的移动
关于半导体复合,关键在于2组分的能级匹配;以二氧化钛为例,与Cdse复合;我们知道cdse的CB比tio2的CB更负,所以光生电子很容易从cdse的CB转移到tio2的CB;而cdse的VB比tio2的VB也更负,但空穴的转移是从更正的tio2的VB向cdse的VB上转移;我想问问大家,是不是所有的复合半导体中空穴的转移总是从更正的VB向另外的VB转移?谢谢大家!
[ 来自小组
石墨烯
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2013-10-28 17:58:10
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