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shaopenghui银虫 (正式写手)
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[求助]
关于半导体复合空穴的移动
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关于半导体复合，关键在于2组分的能级匹配；以二氧化钛为例，与Cdse复合；我们知道cdse的CB比tio2的CB更负，所以光生电子很容易从cdse的CB转移到tio2的CB；而cdse的VB比tio2的VB也更负，但空穴的转移是从更正的tio2的VB向cdse的VB上转移；我想问问大家，是不是所有的复合半导体中空穴的转移总是从更正的VB向另外的VB转移？谢谢大家！ [ 来自小组 石墨烯 ] |
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