9楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-06-28 21:48:04
你说的这几个因素确实都会影响到最终结果。1）我知道我们实验室ICP刻硅是刻蚀--钝化--刻蚀这么一个循环过程，其实刻出来粗糙度要比湿刻差，我不知道刻蚀氧化硅是否也是这么一个循环过程。2）另外干法刻硅用什么气体 ...

11楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-29 00:12:45
这个倍率下看，光刻没啥问题。
你的片子是热氧的还是LP还是PE？缺陷和楼上说的结晶都有可能。
如果斜坡没关系，那就用ICP就好了，不用做钝化，钝化反而会造成粗糙度差。不过你们做硅的ICP最好不要用来刻氧化硅。 ...

12楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-07-01 18:18:36
谢谢您的解答！我的片子是热氧化的。ICP刻的话使用什么气体啊？我是长春光机所的，苏州这边新建一个医工所我现在在苏州做实验的，光刻胶都是师兄他们买的，我上网查过701可能粘附性不好不适合做湿法刻蚀，请问就我 ...

14楼: Originally posted by yswyx at 2013-07-02 12:06:39
医工所的条件现在建设的还好了。
粘附性不是关键的问题。只是701这个胶科研口比较少见，工厂用的会比较多一些。一般的胶做你这个都没啥问题。
湿法腐蚀受缺陷影响太严重了，建议不要用了。做几个微米以上的干刻 ...

15楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-07-02 21:40:06
嗯，谢谢您的解答。我试一下干法刻蚀，我对尺寸和侧壁垂直性要求不高，不过对侧壁粗糙度要求非常高要到达几纳米甚至零点几纳米才可以，我这个是用来做光学谐振腔的越光滑光散射损耗越小。我也做过4620边缘一直做不 ...

15楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-07-02 21:40:06
嗯，谢谢您的解答。我试一下干法刻蚀，我对尺寸和侧壁垂直性要求不高，不过对侧壁粗糙度要求非常高要到达几纳米甚至零点几纳米才可以，我这个是用来做光学谐振腔的越光滑光散射损耗越小。我也做过4620边缘一直做不 ...

4楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-27 23:03:13
湿法是能做很光滑啊，但是需要运气。硅片的质量，氧化层的质量，光刻的质量，因素多的很。

干刻是光滑的，用ICP。如果不在乎斜坡，可以用离子束刻蚀。...

2楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-26 23:23:24
正常现象。厚的氧化层，建议用干刻完成，湿法是避免不了缺陷的。