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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

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专业: 光学和光电子学

[求助] 求助湿法腐蚀二氧化硅边缘不光滑求大家分析下原因有图

主要工艺：1、清洗硅片。 2、120度2min烘干。 3、涂HMDS 3000rpm 40s。 4、匀胶 AZ701 3500rpm 50s （1um左右）。5、前烘95度1min热板。6、曝光 EVG620。7、显影 AZ300mif 浸泡在烧杯里。8、坚膜110度2min。9、HF缓冲液腐蚀速率大约80nm/min 腐蚀20多分钟。腐蚀完结果如图一个直径200um圆盘边缘总是不光滑有沟槽，该怎么办大家帮我想想办法，先谢谢了。

腐蚀完14.jpg

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1楼 2013-06-25 21:27:42

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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

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引用回帖:

11楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-29 00:12:45
这个倍率下看，光刻没啥问题。
你的片子是热氧的还是LP还是PE？缺陷和楼上说的结晶都有可能。
如果斜坡没关系，那就用ICP就好了，不用做钝化，钝化反而会造成粗糙度差。不过你们做硅的ICP最好不要用来刻氧化硅。 ...

谢谢您的解答！我的片子是热氧化的。ICP刻的话使用什么气体啊？我是长春光机所的，苏州这边新建一个医工所我现在在苏州做实验的，光刻胶都是师兄他们买的，我上网查过701可能粘附性不好不适合做湿法刻蚀，请问就我这个工艺用什么光刻胶要好一些啊？光刻机我们也有一个休斯的。现在做1.6um以后还要做5um和10um的怕干法刻蚀光刻胶也掩不住啊。