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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

[求助] 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图

主要工艺:1、清洗硅片。 2、120度2min烘干。 3、涂HMDS 3000rpm 40s。  4、匀胶 AZ701 3500rpm 50s (1um左右)。5、前烘95度1min热板。6、曝光 EVG620。7、显影 AZ300mif 浸泡在烧杯里 。8、坚膜110度2min。9、HF缓冲液腐蚀 速率大约80nm/min 腐蚀20多分钟。腐蚀完结果如图一个直径200um圆盘 边缘总是不光滑有沟槽,该怎么办大家帮我想想办法,先谢谢了。
求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
腐蚀完14.jpg
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-27 23:03:13
湿法是能做很光滑啊,但是需要运气。硅片的质量,氧化层的质量,光刻的质量,因素多的很。

干刻是光滑的,用ICP。如果不在乎斜坡,可以用离子束刻蚀。...

你说的这几个因素确实都会影响到最终结果。1)我知道我们实验室ICP刻硅是刻蚀--钝化--刻蚀这么一个循环过程,其实刻出来粗糙度要比湿刻差,我不知道刻蚀氧化硅是否也是这么一个循环过程。2)另外干法刻硅用什么气体能做到比较光滑,我做一个微米的光刻胶能掩的住吗?
3)有斜坡没事,只要光滑就行,离子束刻蚀能光滑吗?
9楼2013-06-28 21:48:04
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
正常现象。厚的氧化层,建议用干刻完成,湿法是避免不了缺陷的。
2楼2013-06-26 23:23:24
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-26 23:23:24
正常现象。厚的氧化层,建议用干刻完成,湿法是避免不了缺陷的。

看到别人用湿法能做的很光滑啊,干刻能刻光滑不,是用ICP吗
3楼2013-06-27 21:23:24
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-06-27 21:23:24
看到别人用湿法能做的很光滑啊,干刻能刻光滑不,是用ICP吗...

湿法是能做很光滑啊,但是需要运气。硅片的质量,氧化层的质量,光刻的质量,因素多的很。

干刻是光滑的,用ICP。如果不在乎斜坡,可以用离子束刻蚀。
4楼2013-06-27 23:03:13
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