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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

[求助] 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图

主要工艺：1、清洗硅片。 2、120度2min烘干。 3、涂HMDS 3000rpm 40s。  4、匀胶 AZ701 3500rpm 50s （1um左右）。5、前烘95度1min热板。6、曝光 EVG620。7、显影 AZ300mif 浸泡在烧杯里 。8、坚膜110度2min。9、HF缓冲液腐蚀 速率大约80nm/min 腐蚀20多分钟。腐蚀完结果如图一个直径200um圆盘 边缘总是不光滑有沟槽，该怎么办大家帮我想想办法，先谢谢了。
求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
腐蚀完14.jpg
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1楼 2013-06-25 21:27:42
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by damuchongzi at 2013-06-28 15:34:27
上面两位说得感觉都没说到点子上。~1.6um的氧化层用1um胶掩模且腐蚀20多分钟（没有多次坚膜？），看你的图片氧化硅腐蚀钻蚀效果几乎没有，说明你腐蚀之前的各项的准备控制的很好，氧化层质量也不错。（顺便问一下你 ...

我再传一张腐蚀完木有去胶的照片可以看到钻蚀效果，透明的大圆是胶里面深色的小圆是二氧化硅，我感觉就是钻蚀不均匀出现沟槽了，麻烦你再帮我分析一下
求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图-1
腐蚀完0.JPG
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8楼2013-06-28 21:32:11
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
正常现象。厚的氧化层，建议用干刻完成，湿法是避免不了缺陷的。
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2楼2013-06-26 23:23:24
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-26 23:23:24
正常现象。厚的氧化层，建议用干刻完成，湿法是避免不了缺陷的。

看到别人用湿法能做的很光滑啊，干刻能刻光滑不，是用ICP吗
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3楼2013-06-27 21:23:24
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-06-27 21:23:24
看到别人用湿法能做的很光滑啊，干刻能刻光滑不，是用ICP吗...

湿法是能做很光滑啊，但是需要运气。硅片的质量，氧化层的质量，光刻的质量，因素多的很。

干刻是光滑的，用ICP。如果不在乎斜坡，可以用离子束刻蚀。
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4楼2013-06-27 23:03:13
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jason011

禁虫 (初入文坛)
感谢参与，应助指数 +1
本帖内容被屏蔽
5楼2013-06-28 00:20:44
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
上面两位说得感觉都没说到点子上。~1.6um的氧化层用1um胶掩模且腐蚀20多分钟（没有多次坚膜？），看你的图片氧化硅腐蚀钻蚀效果几乎没有，说明你腐蚀之前的各项的准备控制的很好，氧化层质量也不错。（顺便问一下你的氧化层是LPCVD做的还是PECVD做的，做致密了吗）。可以注意一下以下2个方面：
1）在腐蚀之前O2等离子体扫一下底膜同时激活暴露的氧化硅表面。
2）BHF是用的什么样的容器，最好用大的容器。如果较小且没有搅拌，BHF中的氟化氨很容易结晶并附着造成腐蚀缺陷。
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6楼2013-06-28 15:34:27
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by damuchongzi at 2013-06-28 15:34:27
上面两位说得感觉都没说到点子上。~1.6um的氧化层用1um胶掩模且腐蚀20多分钟（没有多次坚膜？），看你的图片氧化硅腐蚀钻蚀效果几乎没有，说明你腐蚀之前的各项的准备控制的很好，氧化层质量也不错。（顺便问一下你 ...

你好！1）我只在显影后做了一次坚膜，你说的多次坚膜是指在腐蚀过程中取出硅片再做坚膜吗？2）圆盘用作光学谐振器 光在边缘传播所以边缘越光滑越好，我做了几次总是出现这样的沟槽。3）氧化层是用湿氧氧化生长的质量应该不错。4）腐蚀之前O2等离子体打会把胶打掉吗？功率多少瓦合适。5）用的烧杯比硅片大很多，通过观察没有发现氟化铵结晶。
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7楼2013-06-28 21:23:04
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-27 23:03:13
湿法是能做很光滑啊，但是需要运气。硅片的质量，氧化层的质量，光刻的质量，因素多的很。

干刻是光滑的，用ICP。如果不在乎斜坡，可以用离子束刻蚀。...

你说的这几个因素确实都会影响到最终结果。1）我知道我们实验室ICP刻硅是刻蚀--钝化--刻蚀这么一个循环过程，其实刻出来粗糙度要比湿刻差，我不知道刻蚀氧化硅是否也是这么一个循环过程。2）另外干法刻硅用什么气体能做到比较光滑，我做一个微米的光刻胶能掩的住吗？
3)有斜坡没事，只要光滑就行，离子束刻蚀能光滑吗？
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9楼2013-06-28 21:48:04
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by jason011 at 2013-06-28 00:20:44
边缘沟槽主要原因如下：
1）硅片边缘本身就沟槽，这个在做氧化之前可以在显微镜底下看一下硅片的边缘。
2）湿法刻蚀掩膜有问题，导致二氧化硅被腐蚀。

3）如果产品图形单元不在硅片边缘可以不用考虑这个问题。 ...

1）可能我说的不是很清楚，我的意思是直径200um二氧化硅圆盘上的沟槽，和硅片边缘不是一回事。
2）应该就是掩膜的问题，关键在于我怎么解决这个问题
4）腐蚀液应该木有问题我买的美国进口的腐蚀液质量应该还可以，600nm的氧化层我现在做的不错了，现在要做更厚的出现了这个问题。
照片是我做的600nm的氧化硅圆盘感觉还可以。
求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图-2
sio2_m005.JPG
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10楼2013-06-28 21:55:22
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