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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

[求助] 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图

主要工艺：1、清洗硅片。 2、120度2min烘干。 3、涂HMDS 3000rpm 40s。  4、匀胶 AZ701 3500rpm 50s （1um左右）。5、前烘95度1min热板。6、曝光 EVG620。7、显影 AZ300mif 浸泡在烧杯里 。8、坚膜110度2min。9、HF缓冲液腐蚀 速率大约80nm/min 腐蚀20多分钟。腐蚀完结果如图一个直径200um圆盘 边缘总是不光滑有沟槽，该怎么办大家帮我想想办法，先谢谢了。
求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
腐蚀完14.jpg
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1楼 2013-06-25 21:27:42
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-26 23:23:24
正常现象。厚的氧化层，建议用干刻完成，湿法是避免不了缺陷的。

看到别人用湿法能做的很光滑啊，干刻能刻光滑不，是用ICP吗
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3楼2013-06-27 21:23:24
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
正常现象。厚的氧化层，建议用干刻完成，湿法是避免不了缺陷的。
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2楼2013-06-26 23:23:24
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-06-27 21:23:24
看到别人用湿法能做的很光滑啊，干刻能刻光滑不，是用ICP吗...

湿法是能做很光滑啊，但是需要运气。硅片的质量，氧化层的质量，光刻的质量，因素多的很。

干刻是光滑的，用ICP。如果不在乎斜坡，可以用离子束刻蚀。
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4楼2013-06-27 23:03:13
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jason011

禁虫 (初入文坛)
感谢参与，应助指数 +1
本帖内容被屏蔽
5楼2013-06-28 00:20:44
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