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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

[求助] 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图

主要工艺:1、清洗硅片。 2、120度2min烘干。 3、涂HMDS 3000rpm 40s。  4、匀胶 AZ701 3500rpm 50s (1um左右)。5、前烘95度1min热板。6、曝光 EVG620。7、显影 AZ300mif 浸泡在烧杯里 。8、坚膜110度2min。9、HF缓冲液腐蚀 速率大约80nm/min 腐蚀20多分钟。腐蚀完结果如图一个直径200um圆盘 边缘总是不光滑有沟槽,该怎么办大家帮我想想办法,先谢谢了。
求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
腐蚀完14.jpg
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yswyx

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【答案】应助回帖

引用回帖:
12楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-07-01 18:18:36
谢谢您的解答!我的片子是热氧化的。ICP刻的话使用什么气体啊?我是长春光机所的,苏州这边新建一个医工所我现在在苏州做实验的,光刻胶都是师兄他们买的,我上网查过701可能粘附性不好不适合做湿法刻蚀,请问就我 ...

医工所的条件现在建设的还好了。
粘附性不是关键的问题。只是701这个胶科研口比较少见,工厂用的会比较多一些。一般的胶做你这个都没啥问题。
湿法腐蚀受缺陷影响太严重了,建议不要用了。做几个微米以上的干刻,用厚胶就好,你的分辨率要求不高,侧壁垂直性又没要求,厚胶完全可以的。
纳米所新进的做SiO干刻的ICP设备,你可以去试试,注意不要做钝化就是。
如果将来买设备,也可以买国产ICP,就是稳定性差些,而且你这个不用做钝化,国产设备挺适合的。
厚的热氧化片,可以找“静静一yi”,厚光刻胶也可以找她,或者去纳米所倒。
14楼2013-07-02 12:06:39
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
正常现象。厚的氧化层,建议用干刻完成,湿法是避免不了缺陷的。
2楼2013-06-26 23:23:24
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王全龙ciomp

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-06-26 23:23:24
正常现象。厚的氧化层,建议用干刻完成,湿法是避免不了缺陷的。

看到别人用湿法能做的很光滑啊,干刻能刻光滑不,是用ICP吗
3楼2013-06-27 21:23:24
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 王全龙ciomp at 2013-06-27 21:23:24
看到别人用湿法能做的很光滑啊,干刻能刻光滑不,是用ICP吗...

湿法是能做很光滑啊,但是需要运气。硅片的质量,氧化层的质量,光刻的质量,因素多的很。

干刻是光滑的,用ICP。如果不在乎斜坡,可以用离子束刻蚀。
4楼2013-06-27 23:03:13
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