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如何利用吸收光谱计算半导体带隙
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利用这个公式： ahv=A(hv-Eg)^(n/2)计算半导体带隙，我计算出来的n=2，可文献上说n=1是直接带隙，n=4是间接带隙。可我的n=2是直接带隙还是间接带隙呢，如果继续求，是分别用n=1和n=4去求带隙还是干脆用我得到的n=2来求呢？ 先谢谢了。 |
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