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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 理论交流 » 如何利用吸收光谱计算半导体带隙
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HN-1997

银虫 (初入文坛)

[求助] 如何利用吸收光谱计算半导体带隙

利用这个公式：
ahv=A(hv-Eg)^(n/2)计算半导体带隙，我计算出来的n=2，可文献上说n=1是直接带隙，n=4是间接带隙。可我的n=2是直接带隙还是间接带隙呢，如果继续求，是分别用n=1和n=4去求带隙还是干脆用我得到的n=2来求呢？


先谢谢了。
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1楼 2013-05-27 14:08:03
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kinkilyou

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
王晓萌: 金币+1, 谢谢分享！ 2013-05-28 10:28:15
分别用n=1和n=4去求带隙
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2楼2013-05-28 09:58:57
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HN-1997

银虫 (初入文坛)
首先谢谢回复。

你的意思是不是说n=2也可以认为是间接带隙半导体？还有对于间接带隙半导体，是不是间接带隙要小于直接带隙？
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3楼2013-05-28 23:04:50
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373426717

新虫 (初入文坛)
楼主，你说的这个文献，可否给我发一下期刊号？或者你有发表的吗？需要引用
赞一下 回复此楼
4楼2018-06-15 23:04:41
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