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双子座阿甘

金虫 (正式写手)

[求助] AlN的沉积问题

在文献中看到一句话,很不理解,求指教。
背景:磁控溅射,高纯铝为靶,Ar+N2,制备AlN
文章中的原话是:
As the chemical reactivity of aluminium with nitrogen is very high, one can therefore use relatively low N2 gas partial pressure in the sputtering gas mixture to deposit nearly pure AlN ceramic by DC reactive sputtering.
求指教:
1:aluminum with nitrogen 是指AlN化合物的活性高,还是说Al在氮气气氛中的活性高?
2:如果说1中是指后者的话,那应该是用高的N2分压才能制备AlN的;如果1中前者是对的,那如何去控制氮气分压呢?(因为铝靶还是很容易被溅射的)
多谢大家~
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双子座阿甘

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by vincentwz at 2013-05-21 16:19:59
Al在N2中活性高,因此在低的N2分压中也能生长纯的AlN薄膜

至于为什么用低的N2分压,我觉得是为了方便控制AlN的生长

那如果N2分压太高会不会影响金属靶的溅射呢?
3楼2013-05-21 17:23:25
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vincentwz

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
Al在N2中活性高,因此在低的N2分压中也能生长纯的AlN薄膜

至于为什么用低的N2分压,我觉得是为了方便控制AlN的生长
2楼2013-05-21 16:19:59
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vincentwz

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 双子座阿甘 at 2013-05-21 17:23:25
那如果N2分压太高会不会影响金属靶的溅射呢?...

N2的分压应该会影响AlN的物性,需要多做些实验看看怎么影响
4楼2013-05-21 22:03:35
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