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AlN的沉积问题
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在文献中看到一句话，很不理解，求指教。 背景：磁控溅射，高纯铝为靶，Ar+N2，制备AlN 文章中的原话是： As the chemical reactivity of aluminium with nitrogen is very high, one can therefore use relatively low N2 gas partial pressure in the sputtering gas mixture to deposit nearly pure AlN ceramic by DC reactive sputtering. 求指教： 1：aluminum with nitrogen 是指AlN化合物的活性高，还是说Al在氮气气氛中的活性高？ 2：如果说1中是指后者的话，那应该是用高的N2分压才能制备AlN的；如果1中前者是对的，那如何去控制氮气分压呢？（因为铝靶还是很容易被溅射的） 多谢大家~ |
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