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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 掺杂后带隙如何计算，求指导
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lzlgcdc

金虫 (正式写手)

[求助] 掺杂后带隙如何计算，求指导

请问各位大侠  一般掺杂后的半导体出现了杂质能级 ，这时候它的带隙应该如何计算？ 如哪位大侠有涉及这方面的文章跪求，能给我解答一下更加感激  谢谢谢谢
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1楼 2013-05-07 00:00:29
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differe

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
4楼2013-05-07 09:44:02
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differe

禁虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★
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lzlgcdc: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢大侠 2013-05-07 09:25:32
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2013-05-11 09:21:21
本帖内容被屏蔽
2楼2013-05-07 00:26:56
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lzlgcdc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by differe at 2013-05-07 00:26:56
计算还是和纯物质计算一样的嘛'只是参杂后'带隙会因为杂质能级的出现而缩小'出现吸收波红移等特征具体看掺杂的百分比了'关键在分析

大侠  那就是说这时候还是找价带顶和导带底吗  不用考虑他俩中间的杂质能级
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3楼2013-05-07 09:26:15
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lzlgcdc

金虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by differe at 2013-05-07 09:44:02
怎么可能不考虑杂质能级呢，不然掺杂还有什么用呢。

大侠我的另一个帖子里的图http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=5848772
这种时候掺杂能级穿过费米能即  距离价带顶比较近   这个时候有虫友告诉说 这就变导体了   您帮我分析下吧  谢谢
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5楼2013-05-07 09:50:13
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