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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料化学 » 化合物半导体禁带宽度与元素组分的关系？
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symsh

金虫 (小有名气)

[求助] 化合物半导体禁带宽度与元素组分的关系？

请问合成化合物半导体粉体的禁带宽度除了与结晶度有关以外，还应该与化合物半导体元素组分有关。比如某种元素含量与化学计量比相比是多点还是少点，对带隙应该是有影响的吧。具体什么影响？请各位大侠多多指教！如果能同时推荐几篇关于带隙与元素组分关系的文献那就更好了。感激不尽！金币奉上。
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科研
1楼 2013-03-21 15:18:55
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ncsuuvm

至尊木虫 (职业作家)
对于SiGe, CIGS的材料系列，基本上可以近似认为是线性的关系，可以查文献有相关的线性方程。。对于其他类似的体系，应该也差不多。。
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semi
3楼2013-04-26 15:09:36
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symsh

金虫 (小有名气)
带隙与结晶度，元素组分都有关系。
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科研
2楼2013-04-26 08:32:46
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symsh

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by ncsuuvm at 2013-04-26 15:09:36
对于SiGe, CIGS的材料系列，基本上可以近似认为是线性的关系，可以查文献有相关的线性方程。。对于其他类似的体系，应该也差不多。。

谢谢！与元素组分是有关系，那与结晶度的关系呢？
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科研
4楼2013-04-27 08:20:34
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