应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料化学 » 化合物半导体禁带宽度与元素组分的关系？
51/1返回列表
查看: 1209  |  回复: 3
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

symsh

金虫 (小有名气)

[求助] 化合物半导体禁带宽度与元素组分的关系？

请问合成化合物半导体粉体的禁带宽度除了与结晶度有关以外，还应该与化合物半导体元素组分有关。比如某种元素含量与化学计量比相比是多点还是少点，对带隙应该是有影响的吧。具体什么影响？请各位大侠多多指教！如果能同时推荐几篇关于带隙与元素组分关系的文献那就更好了。感激不尽！金币奉上。
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
科研
1楼 2013-03-21 15:18:55
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ncsuuvm

至尊木虫 (职业作家)
对于SiGe, CIGS的材料系列，基本上可以近似认为是线性的关系，可以查文献有相关的线性方程。。对于其他类似的体系，应该也差不多。。
赞一下(1人) 回复此楼
semi
3楼2013-04-26 15:09:36
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 4 个回答

symsh

金虫 (小有名气)
带隙与结晶度，元素组分都有关系。
赞一下 回复此楼
科研
2楼2013-04-26 08:32:46
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

symsh

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by ncsuuvm at 2013-04-26 15:09:36
对于SiGe, CIGS的材料系列，基本上可以近似认为是线性的关系，可以查文献有相关的线性方程。。对于其他类似的体系，应该也差不多。。

谢谢！与元素组分是有关系，那与结晶度的关系呢？
赞一下 回复此楼
科研
4楼2013-04-27 08:20:34
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 4 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭