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asimovezh

新虫 (初入文坛)

[求助] 【求助】能否用ICP刻蚀把掩膜版图形转移到硅或者GaN上

想做光子晶体,最终目的是周期排列的小孔,具体是周期大概200nm,小孔直径100nm,六角密排,深100nm。
文献中大家都是把光刻胶上的图形转移到衬底,没有说用掩膜版遮盖,从而把掩膜版图形转移下去的。

我想问:可行不?
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yswyx

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【答案】应助回帖

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asimovezh: 金币+4 2013-03-12 14:48:20
你是没有搞清楚光刻里光刻胶和掩模版的作用。
掩模版是用来做光刻的,光刻是把图形从掩模版转移到光刻胶上的手段。
刻蚀是把图形从光刻胶转移到片子上的手段。

但是对于你这个尺度,只能用电子束光刻这种无掩模光刻的手段,才能达到百纳米一下的水平。所以文献中不提到掩模版是没错的。而且你这个不需要用ICP,即使是RIE在这个尺度下也能刻蚀的很陡直。

你现在需要解决的问题是,电子束光刻很贵,如果做大面积的话,天价。可以考虑做很小面积硅模版,然后做压印。
2楼2013-02-28 17:09:20
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asimovezh

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-02-28 17:09:20
你是没有搞清楚光刻里光刻胶和掩模版的作用。
掩模版是用来做光刻的,光刻是把图形从掩模版转移到光刻胶上的手段。
刻蚀是把图形从光刻胶转移到片子上的手段。

但是对于你这个尺度,只能用电子束光刻这种无掩模 ...

很久没上木虫了,谢谢你
纳米压印这种方式怎么样, 相比用电子束光刻,有哪些优势呢?

干脆用压印得了。
3楼2013-03-12 14:46:57
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yswyx

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
asimovezh: 金币+4 2013-03-19 21:59:53
引用回帖:
3楼: Originally posted by asimovezh at 2013-03-12 14:46:57
很久没上木虫了,谢谢你
纳米压印这种方式怎么样, 相比用电子束光刻,有哪些优势呢?

干脆用压印得了。...

纳米压印就是做着玩玩,或者说是碰运气。大面积的情况下,纳米压印的良率一向是很差的,即使是比较好的PDMS模版,能做出好压印还是很难。而且你的图形是1:1的高宽比,占空也是1:1,更难。
4楼2013-03-12 18:27:45
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