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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 【求助】能否用ICP刻蚀把掩膜版图形转移到硅或者GaN上
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asimovezh

新虫 (初入文坛)

[求助] 【求助】能否用ICP刻蚀把掩膜版图形转移到硅或者GaN上

想做光子晶体，最终目的是周期排列的小孔，具体是周期大概200nm，小孔直径100nm，六角密排，深100nm。
文献中大家都是把光刻胶上的图形转移到衬底，没有说用掩膜版遮盖，从而把掩膜版图形转移下去的。

我想问：可行不？
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1楼 2013-02-28 10:29:28
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asimovezh

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-02-28 17:09:20
你是没有搞清楚光刻里光刻胶和掩模版的作用。
掩模版是用来做光刻的，光刻是把图形从掩模版转移到光刻胶上的手段。
刻蚀是把图形从光刻胶转移到片子上的手段。

但是对于你这个尺度，只能用电子束光刻这种无掩模 ...

很久没上木虫了，谢谢你
纳米压印这种方式怎么样， 相比用电子束光刻，有哪些优势呢？

干脆用压印得了。
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3楼2013-03-12 14:46:57
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
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asimovezh: 金币+4 2013-03-12 14:48:20
你是没有搞清楚光刻里光刻胶和掩模版的作用。
掩模版是用来做光刻的，光刻是把图形从掩模版转移到光刻胶上的手段。
刻蚀是把图形从光刻胶转移到片子上的手段。

但是对于你这个尺度，只能用电子束光刻这种无掩模光刻的手段，才能达到百纳米一下的水平。所以文献中不提到掩模版是没错的。而且你这个不需要用ICP，即使是RIE在这个尺度下也能刻蚀的很陡直。

你现在需要解决的问题是，电子束光刻很贵，如果做大面积的话，天价。可以考虑做很小面积硅模版，然后做压印。
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2楼2013-02-28 17:09:20
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
asimovezh: 金币+4 2013-03-19 21:59:53
引用回帖:
3楼: Originally posted by asimovezh at 2013-03-12 14:46:57
很久没上木虫了，谢谢你
纳米压印这种方式怎么样， 相比用电子束光刻，有哪些优势呢？

干脆用压印得了。...

纳米压印就是做着玩玩，或者说是碰运气。大面积的情况下，纳米压印的良率一向是很差的，即使是比较好的PDMS模版，能做出好压印还是很难。而且你的图形是1：1的高宽比，占空也是1：1，更难。
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4楼2013-03-12 18:27:45
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