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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 关于EIS问题
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flysun

银虫 (正式写手)

[求助] 关于EIS问题

请教大家个问题，关于交流阻抗EIS。我在做实验的时候以及查文献时候发现，有的人把低频容抗弧解释为电荷转移的Rct，如铜在NaCl溶液中。但是有人把其它的材料的低频部分解释为腐蚀产物阻抗，高频解释为电荷转移阻抗，如锌在NaCl溶液中腐蚀EIS图。一般涂层都是高频为电荷转移的，可是在金属腐蚀中，根本没有涂层啊。还有的文献如镁铝合金等金属腐蚀高频容抗弧部分都解释为电荷转移部分，而曹楚兰书本里都是把高频解释为腐蚀产物的啊。问题是到底在什么情况下把高频容抗弧归结为电荷转移造成的还是腐蚀产物造成的？
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1楼 2013-01-20 10:39:44
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醋人

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
857688363: 金币+2, 感谢应助 2013-01-21 09:03:10
金属腐蚀中我们说腐蚀产物膜沉积，中间产物溶解、沉积。曹楚兰是曹楚南资深院士，高频溶解、低频沉积
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精专业、强意志、壮身体
2楼2013-01-20 11:10:56
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
857688363: 金币+3, 感谢应助 2013-01-21 09:03:18
在EIS中高频低频是一个定性的概念，对不同体系有不同的含义。但根据电极表面发生的电子转移和双电层充放电的速度来看，一般认为，1MHz-10kHz内，主要考虑与膜的充放电有关，10kHz-10Hz，考虑电子电荷转移，<10Hz，考虑扩散传质。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
3楼2013-01-20 14:35:14
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