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求助电话学Bode 图解释
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求助电话学Bode 图解释
求助,做的实验画出的Nyquist and Bode plots 如图所示,就是不知道bode图该怎么解释,求高手指点哈
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2012-12-09 21:38:28
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高频端有圆弧的话,表明电子转移受到了阻碍,如果没有的话,说明电子转移速度快,因此,你把Nyquist图的两个坐标刻度的最大值设置为1000,这样就相当于放大了原点附近的图,看看曲线有没有圆弧。
从你的阻抗谱看,你的涂层发挥以一定的作用,深蓝色线的样品的保护性最好,没有涂层的黑色最差。至于没有文献的阻抗大,那就是你涂层的质量的问题了。
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2012-12-19 19:56:38
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2012-12-10 14:35:18
Nyquist 图已经很清楚地表明三个样品之间存在显著的差异了,不一定非要用Bode图来说明。
Bode图是用于说明体系阻抗随频率的变化的。在你的bode图中,蓝色线的样品在低频和高频区都表现出较大的阻抗,尤其是高频区的阻抗在20kHz后保存恒定,意味著这个样品中容性组分(膜,孔这类的)较小。
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2012-12-09 22:08:00
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波特图主要用来看阻抗大小,而能奎斯特图用来说明防腐机理,波特图一般关注的是低频区(即0.01Hz)的阻抗值大小,一般此值越大,表明防腐效果越好。
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2012-12-10 14:36:49
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Jackcd12
at 2012-12-09 22:08:00
Nyquist 图已经很清楚地表明三个样品之间存在显著的差异了,不一定非要用Bode图来说明。
Bode图是用于说明体系阻抗随频率的变化的。在你的bode图中,蓝色线的样品在低频和高频区都表现出较大的阻抗,尤其是高频区的 ...
我看的文献,差不多都结合Nyquist 图和Bode图分析。楼主以为Nyquist 图和Bode图中黑色的样品该怎么分析呢??在Nyquist 图中所处位置很低,但在bode中又出现了反常的行为、不过在低频处电容区表现的很低,我看其他的文献也出现过类似的情况。他就是只提出了低频电容区的值较低,而没有解释中间的部分。
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2012-12-10 14:42:35
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我不知道你的具体体系和你的目的,对不同的电极体系,相同的EIS图有不同的物理意思,因此,你需要分析自己的电极体系特征,结合EIS给我电极过程和电极结构解释。
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5楼
2012-12-10 15:05:45
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Jackcd12
at 2012-12-10 15:05:45
我不知道你的具体体系和你的目的,对不同的电极体系,相同的EIS图有不同的物理意思,因此,你需要分析自己的电极体系特征,结合EIS给我电极过程和电极结构解释。
我的是双层结构,内层是一层较为活泼的金属镀层,外层是钝化层。老师的意思是让我选用和体系类似的模型加以拟合,来结合Nyquist 图和Bode图说明腐蚀机理。阁下以为我该选用什么样的模型呢?
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6楼
2012-12-18 17:22:19
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其实,Nyquist图就足以让你分析比较保护层的效果了。你可以搜一下中文关于金属涂层的EIS相关的文章看看。
你把高频端的阻抗谱放大看一下,看高频端(坐标0附近)有没有圆弧段出现,你现在的图看不出来。
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2012-12-18 17:29:29
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Jackcd12
at 2012-12-18 17:29:29
其实,Nyquist图就足以让你分析比较保护层的效果了。你可以搜一下中文关于金属涂层的EIS相关的文章看看。
你把高频端的阻抗谱放大看一下,看高频端(坐标0附近)有没有圆弧段出现,你现在的图看不出来。
高频是在远离坐标原点吧,放大图能说明什么问题呢?
老师让我选择合适的模型结合自己的体系去拟合一下,从而更好的解释腐蚀的机理。我看了一些文献,根据自己的体系大致选择了一下模型,但是拟合的结果不好,阁下以为对于我的没有出现明显半圆的情况,有必要进行一下拟合吗?还有就是感觉自己的阻抗值和其他的文献比起来感觉值小了好多,可能因为我的外层膜太薄的缘故。现在很是纠结哈
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8楼
2012-12-19 19:44:30
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高频端有圆弧的话,表明电子转移受到了阻碍,如果没有的话,说明电子转移速度快,因此,你把Nyquist图的两个坐标刻度的最大值设置为1000,这样就相当于放大了原点附近的图,看看曲线有没有圆弧。
从你的阻抗谱看, ...
黑色样品的高频段有一小段圆弧出现,而其他两条没有圆弧出现。个人感觉黑色样品实际上有一段容抗弧和一长段扩散弧组成,表明已经进入了瓦尔堡扩散区。而两外两段,只有部分的容抗弧,表明外层涂层的加入极大的阻挡了攻击性离子的攻击,起到了较好的耐蚀作用。但是,可能由于低频区的频率选择范围太窄(或者由于浸泡的时间太短)没有出现较为完整 的容抗弧,而不能分析其耐蚀的机理(因为我的是双层结构,外层是钝化层,内层有部分的活泼层)。阁下以为我这样解释可以吗?
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