| 查看: 4322 | 回复: 0 | ||
Principle1st新虫 (小有名气)
|
[求助]
vasp带电缺陷形成能计算
|
|
在计算带电缺陷形成能的时候,需要对带电体系的能量做monopole, dipole修正,具体的修成值在vasp OUTCAR文件输出,例如下面类似的项: energy correction for charged system 0.109933 eV dipol+quadrupol energy correction 7.033525 eV added-field ion interaction 0.000000 eV (added to PSCEN) 一直很困惑,最后总能到底是加上这些修成值呢,还是减掉这些修正值,原因为何,求高手解惑,非常感谢! |
» 猜你喜欢
氨基封端PDMS和HDI反应快速固化
已经有11人回复
博士申请都是内定的吗?
已经有11人回复
博士读完未来一定会好吗
已经有38人回复
谈谈两天一夜的“延安行”
已经有3人回复
之前让一硕士生水了7个发明专利,现在这7个获批发明专利的维护费可从哪儿支出哈?
已经有11人回复
论文投稿求助
已经有4人回复
Applied Surface Science 这个期刊。有哪位虫友投过的能把word模板发给我参考一下嘛
已经有3人回复
投稿精细化工
已经有6人回复
找到一些相关的精华帖子,希望有用哦~
怎么用vasp的计算结果分析分子中各原子带电多少情况
已经有6人回复
vasp 中 NELECT的设置
已经有5人回复
带电缺陷的优化为什么看不到形变
已经有8人回复
pwscf 计算带电缺陷,如何设定体系的电子数目?设定什么参数?谢谢
已经有14人回复
【文献学习】Li,Na掺杂ZnO空穴的杂化密度泛函计算(PRB,2009)
已经有21人回复
求助VASP 处理带电缺陷的问题!能量变化太大
已经有10人回复
VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正?
已经有5人回复
计算Cl-在Fe表面吸附问题时体系加电荷方法
已经有27人回复
缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
jellium model也就是凝胶模型,谁能给具体解释一下?
已经有4人回复
表面带电缺陷体系VASP计算参数设置和模型搭建
已经有8人回复
【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓
已经有12人回复
【求助】ZnO中的缺陷荷电状态怎么定
已经有11人回复
【原创】如何计算中性杂质的形成能
已经有66人回复
【重点讨论】一个氧空位表面charge是不是要设为2(参与讨论就有机会赢取大礼包)
已经有27人回复
科研从小木虫开始,人人为我,我为人人













回复此楼
点击这里搜索更多相关资源