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linberg

木虫 (正式写手)

[求助] 溅射硅靶的时候表面出现斑点

最近射频溅射硅靶的时候生长速度特别快,而且靶表面出现很多小坑,并且出现泛白的斑点,就是图上红圈内的那些。并且原来溅射后整个靶表面都很光洁,呈镜面反射,就像最中心那一块一样,现在最优溅射区域溅射后发白,呈漫反射了。有谁知道是怎么回事吗?PS:靶上面本来没那些的小坑的,最近换靶头之后变成这样了。
对了,我的溅射条件是Ar气氛,气压0.8Pa,溅射前的背底真空是5×10-4Pa。

1.jpg

[ Last edited by linberg on 2012-11-5 at 16:44 ]
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期刊点评

铜虫 (初入文坛)

leongoall: 没遇到过你又知道很严重?说话一点责任都不用负的啊?! 2012-11-13 05:21:06
你这个问题很严重啊,没遇到过
2楼2012-11-10 10:07:47
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linberg

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 期刊点评 at 2012-11-10 10:07:47
你这个问题很严重啊,没遇到过

是啊,不知道怎么回事,以前不是这样的
3楼2012-11-10 22:02:04
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sun-boymlh

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

你是直流放电吗?那些坑应该是放电不均匀导致的,如果是直流的可能造成了中毒(虽然你本底真空还好,但开腔后的空气和水分很难去,Si又很活泼容易氧化。不知道你正式工艺之前有没有预溅射),现在最好用HF清理下靶材表面,在空放电下可能会好。
http://d.namipan.com/d/Ashcroft,%20Neil%20W,%20Mermin,%20David%20N%20-%20Solid%20State%20Physics(T).djvu/f0504e0c934fa43e8b69e21671ca15dab32ef84964 .
4楼2012-11-12 19:26:31
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linberg

木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by sun-boymlh at 2012-11-12 19:26:31
你是直流放电吗?那些坑应该是放电不均匀导致的,如果是直流的可能造成了中毒(虽然你本底真空还好,但开腔后的空气和水分很难去,Si又很活泼容易氧化。不知道你正式工艺之前有没有预溅射),现在最好用HF清理下靶材 ...

我是射频溅射的,试了好几块硅靶都是这样,预溅射也没什么效果,很奇怪,求指教
5楼2012-11-12 21:07:12
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

我倒觉得是你换靶头造成的污染,就像你说的,以前没有,这期间你所做的就是换了靶头,那么产生这样的结果自然是换靶头造成的污染。但具体为什么换靶头就出现这些小黑点我就说不清了,很有可能在换靶的时候Si靶表面就粘上了这些黑点。从你的照片上看,每个小黑点周围都有一块发白的圆斑,说明黑点周围的溅射更强,进而说明黑点处材料绝缘性能更强,从而其附近区域射频自偏压更高!
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
6楼2012-11-13 05:32:54
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