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linberg

木虫 (正式写手)

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[求助] 溅射硅靶的时候表面出现斑点

最近射频溅射硅靶的时候生长速度特别快，而且靶表面出现很多小坑，并且出现泛白的斑点，就是图上红圈内的那些。并且原来溅射后整个靶表面都很光洁，呈镜面反射，就像最中心那一块一样，现在最优溅射区域溅射后发白，呈漫反射了。有谁知道是怎么回事吗？PS：靶上面本来没那些的小坑的，最近换靶头之后变成这样了。
对了，我的溅射条件是Ar气氛，气压0.8Pa，溅射前的背底真空是5×10-4Pa。

1.jpg

[ Last edited by linberg on 2012-11-5 at 16:44 ]

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1楼 2012-11-05 16:34:11

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leongoall

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P-M-I之初生牛犊

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【答案】应助回帖

我倒觉得是你换靶头造成的污染，就像你说的，以前没有，这期间你所做的就是换了靶头，那么产生这样的结果自然是换靶头造成的污染。但具体为什么换靶头就出现这些小黑点我就说不清了，很有可能在换靶的时候Si靶表面就粘上了这些黑点。从你的照片上看，每个小黑点周围都有一块发白的圆斑，说明黑点周围的溅射更强，进而说明黑点处材料绝缘性能更强，从而其附近区域射频自偏压更高！