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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 溅射硅靶的时候表面出现斑点
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linberg

木虫 (正式写手)

[求助] 溅射硅靶的时候表面出现斑点

最近射频溅射硅靶的时候生长速度特别快，而且靶表面出现很多小坑，并且出现泛白的斑点，就是图上红圈内的那些。并且原来溅射后整个靶表面都很光洁，呈镜面反射，就像最中心那一块一样，现在最优溅射区域溅射后发白，呈漫反射了。有谁知道是怎么回事吗？PS：靶上面本来没那些的小坑的，最近换靶头之后变成这样了。
对了，我的溅射条件是Ar气氛，气压0.8Pa，溅射前的背底真空是5×10-4Pa。

1.jpg

[ Last edited by linberg on 2012-11-5 at 16:44 ]
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1楼 2012-11-05 16:34:11
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linberg

木虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by sun-boymlh at 2012-11-12 19:26:31
你是直流放电吗？那些坑应该是放电不均匀导致的，如果是直流的可能造成了中毒（虽然你本底真空还好，但开腔后的空气和水分很难去，Si又很活泼容易氧化。不知道你正式工艺之前有没有预溅射），现在最好用HF清理下靶材 ...

我是射频溅射的，试了好几块硅靶都是这样，预溅射也没什么效果，很奇怪，求指教
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5楼2012-11-12 21:07:12
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期刊点评

铜虫 (初入文坛)
leongoall: 没遇到过你又知道很严重？说话一点责任都不用负的啊？！ 2012-11-13 05:21:06
你这个问题很严重啊，没遇到过
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2楼2012-11-10 10:07:47
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linberg

木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 期刊点评 at 2012-11-10 10:07:47
你这个问题很严重啊，没遇到过

是啊，不知道怎么回事，以前不是这样的
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3楼2012-11-10 22:02:04
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sun-boymlh

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

你是直流放电吗？那些坑应该是放电不均匀导致的，如果是直流的可能造成了中毒（虽然你本底真空还好，但开腔后的空气和水分很难去，Si又很活泼容易氧化。不知道你正式工艺之前有没有预溅射），现在最好用HF清理下靶材表面，在空放电下可能会好。
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http://d.namipan.com/d/Ashcroft,%20Neil%20W,%20Mermin,%20David%20N%20-%20Solid%20State%20Physics(T).djvu/f0504e0c934fa43e8b69e21671ca15dab32ef84964 .
4楼2012-11-12 19:26:31
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