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在沟槽中使用PECVD工艺沉积SiO2
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在一个沟槽中，例如，深度为6um，宽度为6um，使用PECVD沉积SiO2。 假设沟槽侧壁垂直，请问 1、沟槽底部和外部的的SiO2的厚度和均匀性如何？ 2、侧壁的SiO2的覆盖能力如何？厚度如何？ |
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| 这个跟你镀膜过程有关系，如样品台是否旋转，沟槽侧面与平面垂直的话一般在侧壁比较难得到均匀的膜，应该是沟槽底部最厚，然后侧壁有较薄的一层膜。楼主可以看看Michael A. Liberman的《等离子体放电原理与材料处理》（2nd Edition） |
2楼2012-10-12 13:20:46
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3楼2014-06-24 22:20:02
