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小晶报优化问题
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比如一个ZnS 晶胞 如果优化是选YeS 或者No 一个是原包 一个是晶胞 那分析一些布局值， 电子结构，键长时选YES还是NO好 还有就是为什么有的选的No 就和文献上的电子结构对不住，比如硅 选Yes是间接带隙 选NO就成直接带隙 分析时到底该取哪个？ |
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416726641: 金币+20, ★★★很有帮助, 都给你啦 版主 哈哈 哈哈哈哈哈哈 2012-10-11 10:32:26
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推荐用原胞计算（即选择YES）！ 至于Si能带问题，用原胞计算是正确的。用惯用单胞计算变成直接带隙是因为MS此时默认判断的布里渊区k-path有误，漏掉了几个点。 如果选择了正确的路径，惯用单胞和原胞计算的能带结构应该是一致的。只是多了些能带数目和计算量而已。 [ Last edited by fzx2008 on 2012-10-11 at 11:15 ] |
2楼2012-10-11 10:12:20
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