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金虫 (正式写手)

[求助] 小晶报优化问题

比如一个ZnS 晶胞   如果优化是选YeS   或者No  
一个是原包  一个是晶胞  
那分析一些布局值, 电子结构,键长时选YES还是NO好
还有就是为什么有的选的No 就和文献上的电子结构对不住,比如硅 选Yes是间接带隙
选NO就成直接带隙  
分析时到底该取哪个?
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金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by fzx2008 at 2012-10-11 10:12:20
推荐用原胞计算(即选择No)!

至于Si能带问题,用原胞计算是正确的。用惯用单胞计算变成直接带隙是因为MS此时默认判断的布里渊区k-path有误,漏掉了几个点。
如果选择了正确的路径,惯用单胞和原胞计算的能带结 ...

版主,原包不是选YeS吗?
我要是分析ZnS 的键长   重叠布局这些什么的 是不是都选择NO 的才是正确的呢?
加油!加油!加油!
3楼2012-10-11 10:29:48
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