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[交流]
请教大家一个关于压力、温度模拟的问题
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如果一个晶体各个轴向上原子之间结合力的强弱不一样，那么施加温度后，会出现有的键伸缩容易，有的键伸缩困难；如果施加不同的压力会不会也出现类似的情况：键强的会变化的慢，键弱的变化的快。 因为软件很难模拟温度的影响，可否用压力的模拟来代替，来算出具体化学键的强弱。 希望大家多多指导！ |
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 第一性原理 |
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不知楼主打算怎样用加温或加压后的模拟来考察化学键的强度？难道要开振动频率？可是振动频率与键的强度之间并无直接的对应关系啊。要用化学键断裂极限温度，或者错位极限压力？ 我的理解是，化学键的强度是用键能来衡量，即把断键看成反应，来看反应热和反应能垒。通常对于有机分子晶体，可以认为固体中的键能和气相中的单分子的键能基本相等，所以可以直接对气相单分子计算键断势能面，从而得到键断裂前后的键能。因为晶体堆积能比反应能小1-2个数量级，它只能使化学键在势能面中的平衡位置稍稍移动，基本还是在基态势能面的底部，除非极高温高压。实际上高温高压影响的，只是原子在势能面上的访问范围，而固体中的化学键的势能面基本还是和气相中的一致，顶多加个介电常数校正和固体堆积能对化学反应能的校正。 上面说的是有机分子晶体，对于周期固体，特别是金属，无机盐、配位化合物，与有机分子晶体中的化学键能的研究完全不同，需要用另外的量来衡量。什么量呢？ 对于金属和金属氧化物固体，可以用空穴形成能来估算。当然，移走一个原子，形成一个空穴，可能涉及断裂多根配位键。因此这个量只能间接反映某个化学键的强弱。 表面原子的解离能。表面反应更可能对应实际的键解离反应。 还有更复杂的，假如实验上已经知道某种电子激发导致某个键断裂或某个反应发生，此时可以通过电子激发态计算来计算对应的激发能，从而真实的了解固体中的化学键的强度。不过，目前第一原理固体的激发态计算还不成熟，误差比较大。 不知道这些是不是楼主正在考虑的。一起讨论。 |
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