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TiO2的能级问题
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最近有看到文献中通过VBXPS测得的Ef到VBM的距离为1.2eV，按常理TiO2的带隙为3.2eV（anatase），而且是n型半导体，为何Ef距离VBM更近呢？ 期待高手帮忙解答下！  |
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2楼2012-05-05 17:31:35
seaxiaomuch
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3楼2012-05-16 11:44:52
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