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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] 缺陷处ELF的作法 已有1人参与

我算的体系是含有一个N空位的Si3N4超胞
1.我的作法是在做dos计算时，顺便把ELF给算了，设置IELF=.True; INCAR如下
SYSTERM=Silicon Nitride
ISTART=0
ICHARG=11
PREC=high  
ENCUT=500      
NELM=100        
EDIFF=1E-05
#IBRION=2        !determines how the ions are updated and moved
#ISIF=3         
#EDIFFG=         !default:EDIFF*10;break condition for the ionic relaxation loop;
ISMEAR=0       !default:1-Femi-smearing
SIGMA=0.05      !default:0.2
LREAL=Auto
LELF=.TRUE      !determines whether to creat ELFCAR
LORBIT=11   
在vesta下得到图如附件所示，这个图显然是不对的，哪里出现了错误，请高手指教！！！
2.如果我要在体系中引入一个外加电子，考虑超胞中那个地方对这个“外加”电子的局域作用较强，我该怎么做？若果直接导入ELFCAR的话，看到的局域作用应该是包含对原子本身电子的局域作用，我怎么把对“外加电子”的局域作用给拎出来单独考虑
欢迎大家积极讨论！
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1楼 2012-04-27 14:14:54
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by iamikaruk at 2012-04-27 16:25:55:
你这个外加电子的能量很小的话，跟材料本身的电子是没法区分的啊

两个问题：
1.vasp中可不可以设置电子的能量
2.如果我不关心这个电子是怎么进入含缺陷的Si3N4中的，即忽略进入过程；着重于电子在其中是怎么存在的，好像有的虫子说过这个电子是会局域在缺陷周围的。我现在考虑的是N缺陷处的什么对这种局域起了主要作用，即是Si的dangling bond,还是Si=Si共价键（当然前提是证明N空位处确实有悬挂键，共价键）
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4楼2012-04-27 16:51:25
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huangll99

木虫 (职业作家)
★ ★
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-04-27 16:12:26
不知道是不是这错了     LELF=.TRUE      后面少个点
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2楼2012-04-27 15:40:56
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iamikaruk

木虫 (著名写手)
★
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖！ 2012-05-09 16:18:53
你这个外加电子的能量很小的话，跟材料本身的电子是没法区分的啊
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[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
3楼2012-04-27 16:25:55
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iamikaruk

木虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by xiaoluoj at 2012-04-27 16:51:25:
两个问题：
1.vasp中可不可以设置电子的能量
2.如果我不关心这个电子是怎么进入含缺陷的Si3N4中的，即忽略进入过程；着重于电子在其中是怎么存在的，好像有的虫子说过这个电子是会局域在缺陷周围的。我现在考虑 ...

1. 不清楚
2. 这个我觉得现在没有计算结果的前提下很难讨论哪种机制
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[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
5楼2012-04-27 16:55:50
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